Ve srovnání s bipolárními tranzistory (BJT) mají tranzistory s efektem pole (FET) -následující vlastnosti:
(1) FET jsou napěťově -řízená zařízení, která řídí odběrový proud (ID) prostřednictvím VGS (hradlové-zdrojové napětí);
(2) Řídicí vstupní proud FET je extrémně malý, což má za následek velmi vysoký vstupní odpor (10⁷–10¹² Ω);
(3) FET využívají k vedení většinu nosičů, čímž vykazují lepší teplotní stabilitu;
(4) Faktor zesílení napětí u zesilovacího obvodu složeného z FET je menší než u zesilovacího obvodu složeného z bipolárních tranzistorů;
(5) FET mají silnou radiační odolnost;
(6) FETy mají nízký šum, protože nevykazují výstřelový šum způsobený difúzí rozptýlených elektronů.
