Pole-tranzistory (FET) jsou napěťově{1}}řízená zařízení, zatímco tranzistory jsou proudem-řízená zařízení. FETy by měly být vybrány, když je přípustný pouze malý odběr proudu ze zdroje signálu; naopak, tranzistory by měly být vybrány, když je napětí signálu nízké, ale je povolen větší odběr proudu. FETy vedou pomocí většinových nosičů, proto se jim říká unipolární zařízení, zatímco tranzistory vedou pomocí většinových i menšinových nosičů, proto se nazývají bipolární zařízení.
Některé FETy mají vyměnitelné terminály zdroje a kolektoru a jejich hradlové napětí může být kladné nebo záporné, což nabízí větší flexibilitu než tranzistory.
FETy mohou pracovat za podmínek velmi nízkého proudu a nízkého napětí a jejich výrobní procesy umožňují snadnou integraci mnoha FETů na jeden křemíkový čip. Proto jsou FET široce používány ve velkých-integrovaných obvodech.
